Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

Наименование Производитель Тип Пол. Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
Всортировать по убыванию
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
2N6801LCC4 SEMELAB MOSFET N 450 2.5 1.5 25 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
2SK1123 NEC MOSFET N 60 40 0.03 100 - - - - - 150 MP-88
3SK202Q UNKNOWN MOSFET N 15 0.03 - 0.25 - - 7 - - 175 TO-120
APT8030JVFR ADPWR MOSFET N 800 25 0.3 450 - - 5500 300 - 150 UNKNOWN
BUK7635-55 PH MOSFET N 55 17 0.035 85 - - - - - 150 SOT-404
FDS4410 FAIRCHILD MOSFET N 30 10 0.0135 2.5 - - - - - 150 SO-8
FSS13AOR INTERSIL MOSFET N 100 2 0.17 - - - - - - 150 TO-254
IRF9130 SEMELAB MOSFET P 100 11 0.35 75 - - 860 60 140 150 TO-3
IRFM350 SEMELAB MOSFET N 400 14 0.315 150 - - 2600 35 170 150 TO-254
IRFS440A FAIRCHILD MOSFET N 500 6.2 0.85 85 - - 1190 74 - 150 TO-3P
IRFZ14A FAIRCHILD MOSFET N 60 10 0.14 30 - - 280 17 - 150 TO-220AB (TO-220)
IXTH14N80 IXYS MOSFET N 800 14 0.7 - - - - - - 150 TO-247
NDP7050L FAIRCHILD MOSFET N 50 75 0.01 150 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LE INTERSIL MOSFET P 60 8 0.3 - - - - - - 150 UNKNOWN
SFW9624 FAIRCHILD MOSFET P 250 2.7 2.4 38 - - 415 20 - 150 TO-263
SSF80N06A FAIRCHILD MOSFET N 60 55 0.01 68 - - 4630 200 - 150 TO-3P
Si4812DY VISHAY FET N 30 9 0.028 2.5 - - - 16 - 150 SO-8
2N6802 UNKNOWN MOSFET N 500 3.5 1.5 25 - - 900 30 30 150 TO-205AF
2SK1132 NEC MOSFET N 50 0.1 30 0.25 - - - - - 150 SST
3SK202R UNKNOWN MOSFET N 15 0.03 - 0.25 - - 7 - - 175 TO-72
APT8030JVR ADPWR MOSFET N 800 25 0.3 450 - - 6600 - - 150 UNKNOWN
BUK7675-55 PH MOSFET N 55 10 0.075 61 - - - - - 150 SOT-404
FDS4435 FAIRCHILD MOSFET P 30 8.8 0.02 2.5 - - - - - 150 SO-8
FSS230D INTERSIL MOSFET N 200 8 0.44 - - - - - - 150 TO-254
IRF9140 SEMELAB MOSFET P 100 18 0.23 125 - - 1400 35 85 150 TO-3
IRFM360 SEMELAB MOSFET N 400 23 0.2 250 - - 4200 33 120 150 TO-254
IRFS441 SAMSUNG MOSFET N 450 5.5 - 65 - - - - - 150 TO-3P
IRFZ15 SAMSUNG MOSFET N 60 8.3 - 43 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
NDP7051 FAIRCHILD MOSFET N 50 70 0.013 130 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LESM INTERSIL MOSFET P 60 8 0.3 - - - - - - 150 UNKNOWN

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,