Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

Наименование Производитель Тип Пол. Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОмсортировать по убыванию
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
3SK202Q UNKNOWN MOSFET N 15 0.03 - 0.25 - - 7 - - 175 TO-120
3SK202R UNKNOWN MOSFET N 15 0.03 - 0.25 - - 7 - - 175 TO-72
IRFS441 SAMSUNG MOSFET N 450 5.5 - 65 - - - - - 150 TO-3P
IRFZ15 SAMSUNG MOSFET N 60 8.3 - 43 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
3SK20HW UNKNOWN MOSFET N 20 0.01 - 0.1 - - 5 - - 175 TO-72
IRFS442 SAMSUNG MOSFET N 500 4.8 - 65 - - - - - 150 TO-3P
3SK20HY UNKNOWN MOSFET N 20 0.01 - 0.1 - - 5 - - 175 TO-72
IRFS443 SAMSUNG MOSFET N 450 4.8 - 65 - - - - - 150 TO-3P
IRLZ40 SAMSUNG MOSFET N 50 35 - 50 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
3SK21H UNKNOWN MOSFET N 20 0.01 - 0.1 - - 5 - - 175 TO-72
IRFS450 SAMSUNG MOSFET N 500 9 - 70 - - - - - 150 TO-3P
IRLZ44 SAMSUNG MOSFET N 60 35 - 150 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
3SK29 UNKNOWN MOSFET N 20 0.01 - 0.08 30 - 4 - - 175 TO-72
3SK32 UNKNOWN MOSFET N 20 0.015 - 0.17 10 - 5 - - 175 TO-72
IRFS451 SAMSUNG MOSFET N 450 9 - 70 - - - - - 150 TO-3P
SSH10N70 SAMSUNG MOSFET N 700 10 - 150 - - - - - 150 TO-3P
2N6845 SEMELAB MOSFET P 100 4 - - - - - - - 150 TO-39
3SK35 UNKNOWN MOSFET N 20 0.03 - 0.2 6 - 5.5 - - 175 TO-72
IRF9511 SAMSUNG MOSFET P 60 3 - 20 - - - 90 80 150 TO-220AB (TO-220)
IRFS452 SAMSUNG MOSFET N 500 8.3 - 70 - - - - - 150 TO-3P
SSH10N70A SAMSUNG MOSFET N 700 10 - 150 - - - - - 150 TO-3P
2N6847 SEMELAB MOSFET P 200 2.5 - - - - - - - 150 TO-39
3SK37 UNKNOWN MOSFET N 20 0.025 - 0.23 8 - 6 - - 175 TO-72
IRF9512 SAMSUNG MOSFET P 100 2.5 - 20 - - - 90 80 150 TO-220AB (TO-220)
IRFS453 SAMSUNG MOSFET N 450 8.3 - 70 - - - - - 150 TO-3P
2N6849 SEMELAB MOSFET P 100 6.5 - - - - - - - 150 TO-39
3SK38 UNKNOWN MOSFET N 20 0.01 - 0.2 12 - - - - 150 UNKNOWN
IRF9513 SAMSUNG MOSFET P 60 2.5 - 20 - - - 90 80 150 TO-220AB (TO-220)
IRFZ25 SAMSUNG MOSFET N 60 14 - 60 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
2N6849L SEMELAB MOSFET P 100 6.5 - - - - - - - 150 TO-39

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,