Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

Наименование Производитель Тип Пол. Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФсортировать по убыванию
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
Si3853DV VISHAY MOSFET P 20 1.8 0.2 1.15 12 - - 2.7 - 150 TSOP-6
2N6801LCC4 SEMELAB MOSFET N 450 2.5 1.5 25 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
2SK1123 NEC MOSFET N 60 40 0.03 100 - - - - - 150 MP-88
BUK7635-55 PH MOSFET N 55 17 0.035 85 - - - - - 150 SOT-404
FDS4410 FAIRCHILD MOSFET N 30 10 0.0135 2.5 - - - - - 150 SO-8
FSS13AOR INTERSIL MOSFET N 100 2 0.17 - - - - - - 150 TO-254
IRLZ34N IR MOSFET N 55 27 0.035 56 4.5 - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
IXTH14N80 IXYS MOSFET N 800 14 0.7 - - - - - - 150 TO-247
NDP7050L FAIRCHILD MOSFET N 50 75 0.01 150 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LE INTERSIL MOSFET P 60 8 0.3 - - - - - - 150 UNKNOWN
Si4812DY VISHAY FET N 30 9 0.028 2.5 - - - 16 - 150 SO-8
TA17632 HARRIS MOSFET N 200 5 0.5 25 20 200 - 35 172 150 TO-205AF
2SK1132 NEC MOSFET N 50 0.1 30 0.25 - - - - - 150 SST
BUK7675-55 PH MOSFET N 55 10 0.075 61 - - - - - 150 SOT-404
FDS4435 FAIRCHILD MOSFET P 30 8.8 0.02 2.5 - - - - - 150 SO-8
FSS230D INTERSIL MOSFET N 200 8 0.44 - - - - - - 150 TO-254
IRFS441 SAMSUNG MOSFET N 450 5.5 - 65 - - - - - 150 TO-3P
IRFZ15 SAMSUNG MOSFET N 60 8.3 - 43 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
IRLZ34NL IR MOSFET N 55 30 0.035 68 4.5 - - - - 150 TO-262
IXTH15N35MA IXYS MOSFET N 350 15 0.3 150 20 350 - - - 150 TO-247
NDP7051 FAIRCHILD MOSFET N 50 70 0.013 130 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LESM INTERSIL MOSFET P 60 8 0.3 - - - - - - 150 UNKNOWN
Si4816DY VISHAY FET N 30 - 0.03 8 - - - 6.3 - 150 SO-8
2N7275D INTERSIL MOSFET N 200 5 0.5 25 20 200 - 35 172 150 TO-205AF
2SK1133 NEC MOSFET N 50 0.1 30 0.2 - - - - - 150 SC-59
BUK78150-55 PH MOSFET N 55 5 0.15 1.8 - - - - - 150 SOT-223
FDS4435A FAIRCHILD MOSFET P 30 9 0.017 2.5 - - - - - 150 SO-8
FSS230R INTERSIL MOSFET N 200 8 0.44 - - - - - - 150 TO-254
IRFS442 SAMSUNG MOSFET N 500 4.8 - 65 - - - - - 150 TO-3P
IRFZ20 SEMELAB MOSFET N 50 15 0.1 40 - - - - - 150 TO-220AB (TO-220)

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,