Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

Наименование Производительсортировать по убыванию Тип Пол. Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
2N7227JV ADPWR MOSFET N 400 14 0.315 150 - - 2400 100 - 150 UNKNOWN
2N7227JX ADPWR MOSFET N 400 14 0.315 150 - - 2400 100 - 150 UNKNOWN
2N7228JV ADPWR MOSFET N 500 12 0.415 150 - - 2410 103 - 150 SMD-2
2N7228JX ADPWR MOSFET N 500 12 0.415 150 - - 2410 103 - 150 SMD-2
APT1001R1AN ADPWR MOSFET N 1000 9.5 1.1 230 30 - 2950 32 48 150 TO-3
APT1001R1AVR ADPWR MOSFET N 1000 9 1.1 200 - - 3050 150 - 150 SMD-2
APT1001R1BN ADPWR MOSFET N 1000 10.5 1.1 310 30 - 2950 32 48 150 TO-247
APT1001R1BVFR ADPWR MOSFET N 1000 11 1 280 - - 3050 200 - 150 UNKNOWN
APT1001R1HN ADPWR MOSFET N 1000 9.5 1.1 250 30 - 2950 32 48 150 TO-258
APT1001R1HVR ADPWR MOSFET N 1000 9 1.1 200 - - 3050 150 - 150 SMD-2
APT1001R2AN ADPWR MOSFET N 1000 9 1.2 230 30 - 2450 32 48 150 TO-3
APT1001R2BN ADPWR MOSFET N 1000 10 1.2 310 30 - 2450 32 48 150 TO-247
APT1001R2HN ADPWR MOSFET N 1000 9 1.2 250 30 - 2450 32 48 150 TO-258
APT1001R3AN ADPWR MOSFET N 1000 8.5 1.3 230 30 - 2950 32 48 150 TO-3
APT1001R3BN ADPWR MOSFET N 1000 10 1.3 310 30 - 2950 32 48 150 TO-247
APT1001R3HN ADPWR MOSFET N 1000 9 1.3 250 30 - 2950 32 48 150 TO-258
APT1001R6BN ADPWR MOSFET N 1000 8 1.6 240 - - - - - 150 UNKNOWN
APT1001RAN ADPWR MOSFET N 1000 9.5 1 230 30 - 2450 32 48 150 TO-3
APT1001RBN ADPWR MOSFET N 1000 11 1 310 30 - 2450 32 48 150 TO-247
APT1001RBVR ADPWR MOSFET N 1000 11 1 280 - - 3050 - - 150 UNKNOWN
APT1001RSVR ADPWR MOSFET N 1000 11 1 280 - - 3050 - - 150 UNKNOWN
APT10025JVFR ADPWR MOSFET N 1000 34 0.25 700 - - 12400 300 - 150 UNKNOWN
APT10025JVR ADPWR MOSFET N 1000 34 0.25 700 - - 15000 - - 150 UNKNOWN
APT10025PVR ADPWR MOSFET N 1000 33 0.25 625 - - 15000 660 - 150 UNKNOWN
APT10026JN ADPWR MOSFET N 1000 33 0.26 690 - - 1610 465 - 150 UNKNOWN
APT1002R4AN ADPWR MOSFET N 1000 5.5 2.4 198 30 - 1800 26 37 150 TO-3
APT1002R4BN ADPWR MOSFET N 1000 6.5 2.4 240 30 - 1750 26 37 150 TO-247
APT1002R4CN ADPWR MOSFET N 1000 5 2.4 150 30 - 1800 26 37 150 TO-254
APT1002RAN ADPWR MOSFET N 1000 6 2 198 30 - 1800 26 37 150 TO-3
APT1002RBN ADPWR MOSFET N 1000 7 2 240 30 - 1800 26 37 150 TO-247

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,