Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

Наименование Производитель Тип Пол. Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпуссортировать по убыванию
IRLMS1503 IR MOSFET N 30 3.2 0.1 1.7 4.5 - - - - 150 0402
IRLMS1902 IR MOSFET N 20 3.2 0.1 1.7 4.5 - - - - 150 0402
IRLMS2002 IR MOSFET N 20 6.5 0.03 2 4.5 - - - - 150 0402
IRLMS4502 IR MOSFET P 12 5.5 0.042 1.7 4.5 - - - - 150 0402
IRLMS5703 IR MOSFET P 30 2.3 0.2 1.7 4.5 - - - - 150 0402
IRLMS6702 IR MOSFET P 20 2.3 0.2 1.7 2.7 - - - - 150 0402
IRLMS6802 IR MOSFET P 20 5.6 0.05 2 4.5 - 1079 12 70 150 0402
FRX130D1 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130D2 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130D3 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130D4 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130R1 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130R2 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130R3 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130R4 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130H1 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130H2 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130H3 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
FRX130H4 HARRIS MOSFET N 100 6 0.18 11.4 20 100 - 30 200 150 CLCC-18
2SJ479 HITACHI MOSFET P 30 30 - 50 20 - 1700 - - 150 D-PAK
2SJ505 HITACHI MOSFET P 60 50 0.024 75 20 - 4100 - - 150 D-PAK
2SJ506 HITACHI MOSFET P 30 10 - 20 20 - 660 - - 150 D-PAK
2SJ527 HITACHI MOSFET P 60 5 0.05 20 20 - 220 - - 150 D-PAK
2SJ528 HITACHI MOSFET P 60 7 0.24 20 20 - 400 - - 150 D-PAK
2SJ529 HITACHI MOSFET P 60 10 0.17 20 20 - 580 - - 150 D-PAK
2SJ530 HITACHI MOSFET P 60 15 0.11 30 20 - 850 - - 150 D-PAK
2SJ549 HITACHI MOSFET P 60 12 0.16 50 20 - 600 - - 150 D-PAK
2SJ550 HITACHI MOSFET P 60 15 0.105 50 20 - 850 - - 150 D-PAK
2SJ551 HITACHI MOSFET P 60 18 0.07 60 20 - 1300 - - 150 D-PAK
2SJ552 HITACHI MOSFET P 60 20 0.065 75 20 - 1750 - - 150 D-PAK

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,