Skip to main content

Транзисторы биполярные

Поиск
Наименование Производитель Мат Тип Pc,Вт Uкб,В Uкэ,Всортировать по иконкам Uэб,В Ic,А Tj,C Ft,МГц Cc Hfeмин Hfeмах Корпус
BD238 ST - - - - - - - - - - - - TO-126
BFR92A Неизв - - - - - - - - - - - - SOT-23
MMBT2907AM3T5G ONSEMI - PNP 0.64 - -60 - -0.6 - 200 - 100 300 SOT-723
BC857CLT3G ONSEMI - PNP 0.3 - -45 - -0.1 - 100 - 420 800 SOT-23
MMBT4403M3T5G ONSEMI - PNP 0.64 - -40 - -0.6 - 200 - 100 300 SOT-723
101NU70 TESLA Ge npn 0.03 10 - - 0.1 90 0.2 - 12 20 TO-1
102NU70 TESLA Ge npn 0.05 20 - - 0.1 90 0.5 - 12 20 TO-1
103NU70 TESLA Ge npn 0.05 20 - 2 0.1 90 0.5 - 20 - TO-1
104NU70 TESLA Ge npn 0.05 20 - - 0.1 90 0.5 - 20 - TO-1
333 TESLA Ge npn 0.125 32 - 10 0.01 90 0.6 - 20 40 TO-1
106NU70 TESLA Ge npn 0.125 32 - 10 0.01 90 0.8 - 30 75 TO-1
107NU70 TESLA Ge npn 0.125 32 - 10 0.01 90 1 - 65 130 TO-1
111T2 ST Si npn 0.8 60 - 4 - 175 - - 30 120 TO-39
111T2-18 ST Si npn 0.8 60 - 4 - 175 - - 30 120 TO-18
152NU70 TESLA Ge npn 0.05 10 - 5 0.005 90 2.5 - 20 100 TO-1
153NU70 TESLA Ge npn 0.05 10 - 5 0.005 90 1 - 10 40 TO-1
154NU70 TESLA Ge npn 0.05 10 - 5 0.005 90 2.5 - 20 100 TO-1
155NU70 TESLA Ge npn 0.083 15 - 8 0.01 90 3 - 25 125 TO-1
16656 Неизв Si npn 85 400 - 10 7 200 5 - 50 - TO-3
193DT2 ST Si npn 85 210 - - 10 150 5 - 40 80 TO-3
2N1019 AMPEREX Si npn-darl 10 30 - 30 3 90 0.05 - - - TO-3
2N1020 AMPEREX Si npn-darl 10 30 - 30 3 90 0.05 - - - TO-3
2N1023 AMPEREX Ge pnp 0.12 40 - - 0.01 100 50 4 9 - TO-33
2N103 CSR Ge npn 0.05 30 - - 0.01 75 0.3 40 5 - TO-22
2N104 RCA Ge pnp 0.15 30 - 12 0.05 75 0.3 60 - - TO-40
2N105 RCA Ge pnp 0.035 25 - 5 0.015 75 0.3 17 - - TO-1
2N106 CSR Ge pnp 0.1 15 - - 0.01 85 0.3 60 - - TO-22
2N107 CSR Ge pnp 0.05 12 - - 0.01 60 0.4 70 - - R-31
2N1072 DELCO Si npn 5 75 - 6 2 150 30 - 20 - TO-38
2N1072A DELCO Si npn 5 75 - - 2 150 30 - 30 - TO-38
2N1072B DELCO Si npn 5 75 - - 2 150 30 - 40 - TO-38
2N1073 RAYTHEON Ge pnp 20 40 - - 10 110 0.7 - 20 60 TO-3
2N1073A RAYTHEON Ge pnp 20 80 - - 10 110 0.7 - 20 60 TO-3
2N1073B RAYTHEON Ge pnp 20 120 - - 10 110 0.7 - 20 60 TO-3
2N108 CSR Ge pnp 0.05 20 - - 0.015 60 5 - - - R-108
2N1082 TEC Si npn 0.2 25 - 2 0.05 200 17 5 10 50 TO-5
2N1086 CSR Ge npn 0.065 9 - - 0.02 100 4 - 17 195 TO-5
2N1086A CSR Ge npn 0.065 9 - - 0.02 100 4 - 17 195 TO-5
2N1087 CSR Ge npn 0.065 9 - - 0.02 100 4 - 17 195 TO-5
2N1095 LTE Si npn 0.5 60 - - 0.04 200 3 - - - TO-5
2N1096 LTE Si npn 0.5 90 - - 0.03 200 3 - - - TO-5
2N110 WESTCODE Ge pnp 0.2 - - - - - 5 - - - TO-22
2N1107 CSR Ge npn 0.03 16 - - 0.005 100 20 3 18 - TO-22
2N1108 CSR Ge npn 0.03 16 - - 0.005 100 15 3 16 - TO-22
2N1109 CSR Ge npn 0.03 16 - - 0.005 100 15 3 11 - TO-22
2N1110 CSR Ge npn 0.03 16 - - 0.005 100 15 3 15 - TO-22
2N1111 CSR Ge npn 0.03 20 - - 0.005 100 15 3 13 - TO-22
2N1111A CSR Ge npn 0.03 20 - - 0.005 100 15 3 15 - TO-22
2N1111B CSR Ge npn 0.03 27 - - 0.005 100 15 3 - - TO-22
2N1114 CSR Ge npn 0.15 25 - 15 0.2 100 4 - 40 180 TO-5
Наименование - Наименование биполярного транзистора,
Производитель - Производитель биполярного транзистора,
Мат - Материал,
Тип - Тип,
Pc - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
Uкэ - Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер, В
Ic - Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
Ft - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц
Hfeмин - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, минимальный,
Hfeмах - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, максимальный,
Корпус - Корпус биполярного транзистора,