Skip to main content

Транзисторы биполярные

Поиск
Наименование Производитель Мат Тип Pc,Вт Uкб,В Uкэ,В Uэб,В Ic,А Tj,C Ft,МГц Cc Hfeминсортировать по иконкам Hfeмах Корпус
ZXTN25012EFH ZETEX - NPN 1.25 - 12 - 6 - - - - - SOT-23
BD238 ST - - - - - - - - - - - - TO-126
2SB1273 SANYO - PNP 30 - 60 - 3 - 100 - - - TO-220AB (TO-220)
BUV26 ONSEMI - NPN 85 - 180 - 20 - - - - - TO-220AB (TO-220)
BUX48A ST - NPN 175 - 450 - 15 - - - - - TO-3
BUX98A ST - NPN 250 - 1000 - 30 - 5 - - - TO-3
FZT1049ATA ZETEX - NPN 2.5 - 25 - 5 - 180 - - - SOT-223
DTC114EKAT146 ROHM - NPN 0.2 - 50 - 0.1 - 250 - - - SC-59
DTC114ESATP ROHM - NPN 0.3 - 50 - 0.1 - 250 - - - TO-226AA (TO-92)
DTC114TS ROHM - NPN 0.3 - 50 - 0.1 - 250 - - - SC-72
DTC114TSATP ROHM - NPN 0.3 - 50 - 0.1 - 250 - - - SC-72
DTC144EKAT146 ROHM - NPN 0.2 - 50 - 0.1 - 250 - - - SC-59
DTC144ESA ROHM - NPN 0.3 - 50 - 0.1 - 250 - - - TO-226AA (TO-92)
PBSS303ND NXP - NPN 0.36 - 60 - 3 - - - - - SOT-457
PBSS303PD NXP - PNP 0.36 - 60 - 3 - - - - - SOT-457
PBSS304PD NXP - PNP 0.36 - 80 - 3 - - - - - SOT-457
BFR92A Неизв - - - - - - - - - - - - SOT-23
2N6490G ONSEMI - PNP 75 - 60 - 15 - 5 - - 150 TO-220AB (TO-220)
BU406G ONSEMI - NPN 60 - 200 - 7 - 10 - - - TO-220AB (TO-220)
BUV26G ONSEMI - NPN 85 - 90 - 20 - - - - - TO-220AB (TO-220)
BUV27G ONSEMI - NPN 70 - 120 - 12 - - - - - TO-220AB (TO-220)
MJE5730G ONSEMI - PNP 40 - 300 - 1 - 10 - - 150 TO-220AB (TO-220)
2N3055G ONSEMI - NPN 115 - 60 - 15 - 2.5 - - 70 TO-3
2N5190G ONSEMI - NPN 40 - 40 - 4 - 2 - - 100 TO-225AB
17520 Неизв Si pnp-darl 70 60 60 5 12 150 - 200 - - TO-220AB (TO-220)
17521 Неизв Si npn-darl 70 60 60 5 12 150 - 200 - - TO-220AB (TO-220)
25DB070D ST Si npn-darl 300 1000 700 - 37 200 - - - - X-240
26DB080D ST Si npn-darl 300 1200 800 - 37 200 - - - - X-240
2A847 MATSUSHITA Si pnp 0.2 90 90 5 0.05 150 150 5 - - TO-226AA (TO-92)
2CY30 TI Si pnp 0.3 65 64 10 0.1 100 0.25 43 - - TO-5
2CY31 TI Si pnp 0.3 65 64 12 0.1 100 0.25 43 - - TO-5
2CY32 TI Si pnp 0.3 65 64 10 0.1 100 0.4 40 - - TO-5
2CY33 TI Si pnp 0.3 32 32 8 0.1 100 0.4 40 - - TO-5
2CY34 TI Si pnp 0.3 32 32 8 0.1 100 0.6 37 - - TO-5
2CY38 TI Si pnp 0.41 32 32 8 0.5 100 1.5 22 - - TO-5
2CY39 TI Si pnp 0.41 64 64 12 0.5 100 1.5 22 - - TO-5
2G109 ST Ge pnp 0.14 16 14 2 0.1 100 3 22 - - TO-5
2G138 ST Ge pnp 0.2 14 12 1 0.2 100 6 12 - - TO-5
2G139 ST Ge pnp 0.2 14 12 1 0.2 100 8 12 - - TO-5
2G140 ST Ge pnp 0.2 14 12 1 0.2 100 11 12 - - TO-5
2G141 ST Ge pnp 0.2 14 12 1 0.2 100 12 12 - - TO-5
2G201 ST Ge pnp 0.14 16 14 10 0.1 100 2.5 18 - - TO-1
2G202 ST Ge pnp 0.14 16 14 10 0.1 100 3 18 - - TO-1
2G271 ST Ge pnp 0.24 20 20 5 0.2 100 3.1 10 - - TO-5
2G309 TI Ge pnp 0.2 20 20 10 0.1 100 12 15 - - TO-1
2G339 TI Ge pnp 0.15 15 10 2 0.3 100 5 - - - TO-5
2G385 TI Ge pnp 0.25 25 25 12 0.1 85 1 70 - - TO-5
2G387 TI Ge pnp 0.25 20 20 12 0.1 85 1 70 - - TO-5
2G394 TADIRAN Ge pnp 0.15 10 10 2 0.2 100 3.5 - - - TO-5
2G404 TI Ge pnp 0.2 25 25 5 0.025 100 75 5 - - TO-17
Наименование - Наименование биполярного транзистора,
Производитель - Производитель биполярного транзистора,
Мат - Материал,
Тип - Тип,
Pc - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
Uкэ - Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер, В
Ic - Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
Ft - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц
Hfeмин - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, минимальный,
Hfeмах - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, максимальный,
Корпус - Корпус биполярного транзистора,