Skip to main content

Транзисторы биполярные

Поиск
Наименование Производитель Мат Типсортировать по иконкам Pc,Вт Uкб,В Uкэ,В Uэб,В Ic,А Tj,C Ft,МГц Cc Hfeмин Hfeмах Корпус
BD238 ST - - - - - - - - - - - - TO-126
BFR92A Неизв - - - - - - - - - - - - SOT-23
2N2707 Неизв Ge n/p - - - - - - - - - - Не известен
2N3838 FAIRCHILD Si n/p 0.35 60 40 5 0.6 175 200 8 100 - TO-89
2N4136 Неизв Ge n/p - - - - - - - - - - TO-39
2N4854 MOTOROLA Si n/p 0.6 60 60 5 0.6 200 200 8 100 - TO-77
2N4855 MOTOROLA Si n/p 0.6 60 40 5 0.6 200 200 8 40 120 TO-77
BC847PN SIEMENS Si n/p 0.25 50 45 6 0.1 150 250 2 110 630 SOT-363
BCR08PN SIEMENS Si n/p 0.25 50 50 5 0.1 150 170 2 70 - SOT-363
BCR10PN SIEMENS Si n/p 0.25 50 50 10 0.1 150 130 3 30 - SOT-363
BCR22PN SIEMENS Si n/p 0.25 50 50 10 0.1 150 130 3 50 - SO-8
BCR35PN SIEMENS Si n/p 0.25 50 50 6 0.1 150 150 2 70 - SO-8
BCR48PN SIEMENS Si n/p 0.25 50 50 10 0.1 150 100 3 70 - SO-8
BF460BA MOTOROLA Si n/p 2 250 250 6 0.5 150 45 3 40 180 TO-202
BF460EA MOTOROLA Si n/p 2 250 250 6 0.5 150 45 3 40 180 X-33
BF461BA MOTOROLA Si n/p 2 300 300 6 0.5 150 45 3 40 180 TO-202
BF461EA MOTOROLA Si n/p 2 300 300 6 0.5 150 45 3 40 180 X-33
BF462BA MOTOROLA Si n/p 2 350 350 6 0.5 150 45 3 40 180 TO-202
BF462EA MOTOROLA Si n/p 2 350 350 6 0.5 150 45 3 40 180 X-33
BF463BA MOTOROLA Si n/p 2 250 250 5 0.5 150 20 3 40 180 TO-202
BF463EA MOTOROLA Si n/p 2 250 250 5 0.5 150 20 3 40 180 X-33
BF464BA MOTOROLA Si n/p 2 300 300 5 0.5 150 20 3 40 180 TO-202
BF464EA MOTOROLA Si n/p 2 300 300 5 0.5 150 20 3 40 180 X-33
BF465BA MOTOROLA Si n/p 2 350 350 5 0.5 150 20 3 40 180 TO-202
BF465EA MOTOROLA Si n/p 2 350 350 5 0.5 150 20 3 40 180 X-33
BFX79 ST Si n/p 1.8 80 60 5 0.6 200 50 12 40 - TO-77
BFX80 ST Si n/p 1.3 60 60 5 0.2 200 40 5 160 - TO-77
BFX81 ST Si n/p 1.1 25 20 5 0.2 200 350 6 40 - TO-77
CA3250E RCA Si n/p 0.75 - 16 - 0.1 150 - - 30 - PLCC-20
CA3250F RCA Si n/p 0.75 - 16 - 0.1 150 - - 30 - PLCC-20
CA3251E RCA Si n/p 0.75 - 16 - 0.1 150 - - 30 - PLCC-20
CA3251F RCA Si n/p 0.75 - 16 - 0.1 150 - - 30 - PLCC-20
MD6002F MOTOROLA Si n/p 0.4 60 30 5 0.5 200 170 5.6 100 - TO-89
MD6003 MOTOROLA Si n/p 0.4 50 30 5 0.5 200 170 5.6 100 - TO-77
MD6003F MOTOROLA Si n/p 0.4 50 30 5 0.5 200 170 5.6 100 - TO-89
MD6100 MOTOROLA Si n/p 0.6 60 45 5 0.05 200 30 4 150 - TO-77
MD6100F MOTOROLA Si n/p 0.4 60 45 5 0.05 200 30 4 150 - TO-89
MD7021 MOTOROLA Si n/p 0.6 50 40 5 0.05 200 160 6 50 - TO-77
MD7021F MOTOROLA Si n/p 0.4 50 40 5 0.05 200 160 6 50 - TO-89
100T2 ST Si npn 85 120 80 10 5 175 - - 30 80 TO-3
101NU70 TESLA Ge npn 0.03 10 - - 0.1 90 0.2 - 12 20 TO-1
102NU70 TESLA Ge npn 0.05 20 - - 0.1 90 0.5 - 12 20 TO-1
103NU70 TESLA Ge npn 0.05 20 - 2 0.1 90 0.5 - 20 - TO-1
104NU70 TESLA Ge npn 0.05 20 - - 0.1 90 0.5 - 20 - TO-1
104T2 ST Si npn 85 60 50 5 5 200 - - 20 - TO-3
333 TESLA Ge npn 0.125 32 - 10 0.01 90 0.6 - 20 40 TO-1
106NU70 TESLA Ge npn 0.125 32 - 10 0.01 90 0.8 - 30 75 TO-1
107NU70 TESLA Ge npn 0.125 32 - 10 0.01 90 1 - 65 130 TO-1
108T2 ST Si npn 175 120 80 10 30 200 10 - 20 60 TO-3
109T2 ST Si npn 175 160 125 10 30 200 10 - 20 60 TO-3
Наименование - Наименование биполярного транзистора,
Производитель - Производитель биполярного транзистора,
Мат - Материал,
Тип - Тип,
Pc - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
Uкэ - Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер, В
Ic - Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
Ft - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц
Hfeмин - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, минимальный,
Hfeмах - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, максимальный,
Корпус - Корпус биполярного транзистора,