Skip to main content

Транзисторы биполярные

Поиск
Наименование Производитель Мат Тип Pc,Вт Uкб,В Uкэ,В Uэб,В Ic,А Tj,C Ft,МГц Cc Hfeмин Hfeмах Корпуссортировать по иконкам
AVF100 ADVSEMI Si npn 140 60 35 4 10 200 1000 80 10 100 2502LFLG
AVF150 ADVSEMI Si npn 400 65 65 3.5 11 200 1000 - 15 120 2502LFLG
CH3055 Неизв Si npn 117 100 60 - 15 175 0.8 - 20 - CAN
CH3226 Неизв Si npn 117 35 35 - 15 175 0.8 - 20 - CAN
CH3232 Неизв Si npn 117 80 60 - 15 175 0.8 - 12 - CAN
CK13 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 18 6 0.2 100 2.5 12 30 - CAN
CK13A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 18 6 0.2 100 2.5 12 30 - CAN
CK14 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 15 6 0.2 100 7 12 60 - CAN
CK14A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 15 6 0.2 100 7 12 60 - CAN
CK16 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 12 6 0.2 100 10 12 80 - CAN
CK16A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 12 6 0.2 100 10 12 80 - CAN
CK17 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 10 6 0.2 100 18 12 140 - CAN
CK17A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 10 6 0.2 100 18 12 140 - CAN
CK22 RAYTHEON Ge pnp 0.08 20 15 6 0.2 100 1.2 - 90 - CAN
CK22A RAYTHEON Ge pnp 0.08 20 15 6 0.1 100 1.2 - 90 - CAN
CK22B RAYTHEON Ge pnp 0.075 20 15 6 0.1 100 1.2 - 90 - CAN
CK25 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 20 2.5 0.1 100 40 14 30 - CAN
CK25A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 20 2.5 0.4 100 40 14 30 - CAN
CK26 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 18 2.5 0.4 100 6 14 40 - CAN
CK261 RAYTHEON Ge npn 0.075 35 12 6 0.1 100 1.2 - 54 - CAN
CK26A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 18 2.5 0.4 100 6 14 40 - CAN
CK27 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 15 2.5 0.4 100 11 14 55 - CAN
CK27A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 15 2.5 0.4 100 11 14 55 - CAN
CK28 RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 12 2.5 0.4 100 17 14 80 - CAN
CK28A RAYTHEON Ge pnp 0.08 30 12 2.5 0.4 100 17 14 60 - CAN
CK4 RAYTHEON Ge pnp 0.08 25 - 2.5 0.1 100 12 12 40 - CAN
CK4A RAYTHEON Ge pnp 0.08 25 - 2.5 0.1 100 12 12 80 - CAN
CK64 RAYTHEON Ge pnp 0.08 45 29 6 0.1 100 0.8 - 25 - CAN
CK64A RAYTHEON Ge pnp 0.08 45 29 6 0.1 100 0.8 - 25 - CAN
CK64B RAYTHEON Ge pnp 0.08 45 - 6 0.1 100 0.8 - 22 - CAN
CK65 RAYTHEON Ge pnp 0.08 45 24 6 0.1 100 10 - 45 - CAN
CK65A RAYTHEON Ge pnp 0.08 45 24 6 0.1 100 10 - 45 - CAN
CK65B RAYTHEON Ge pnp 0.08 45 - 8 0.1 100 10 - 45 - CAN
CK66 RAYTHEON Ge pnp 0.08 35 20 8 0.1 100 1.2 - 90 - CAN
CK66A RAYTHEON Ge pnp 0.08 35 20 6 0.1 100 1.2 - 90 - CAN
CK66B RAYTHEON Ge pnp 0.08 35 - 8 0.1 100 1.2 - 90 - CAN
CK67 RAYTHEON Ge pnp 0.08 35 15 6 0.1 100 1.5 - 180 - CAN
CK67A RAYTHEON Ge pnp 0.08 35 15 6 0.1 100 1.5 - 180 - CAN
CK83 RAYTHEON Ge pnp 0.075 12 - 6 0.2 100 5.5 11 80 - CAN
CK86 RAYTHEON Ge pnp 0.075 12 - 6 0.01 100 12 10 200 - CAN
CK891 RAYTHEON Ge pnp 0.04 12 - 1.5 0.05 60 - - 160 - CAN
CK892 RAYTHEON Ge pnp 0.04 12 - 1.5 0.05 60 - - 160 - CAN
D7D1 Неизв Si npn 2 80 60 - - 175 20 - 12 36 CAN
D7D13 Неизв Si npn 1 120 60 - - 175 20 - 75 200 CAN
D7D2 Неизв Si npn 2 80 60 - - 175 20 - 30 90 CAN
D7D3 Неизв Si npn 1 120 100 - - 175 20 - 12 36 CAN
GET174 PH Ge pnp 0.075 15 - 6 0.01 100 15 8.5 70 - CAN
GET691 PH Ge pnp 0.075 20 - 6 0.01 60 30 2 60 - CAN
GFT32/15 TECADE Ge pnp 0.125 15 - - 0.3 75 0.5 - 30 - CAN
GFT32/30 TECADE Ge pnp 0.125 30 - - 0.3 75 0.5 - 30 - CAN
Наименование - Наименование биполярного транзистора,
Производитель - Производитель биполярного транзистора,
Мат - Материал,
Тип - Тип,
Pc - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
Uкэ - Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер, В
Ic - Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
Ft - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц
Hfeмин - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, минимальный,
Hfeмах - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, максимальный,
Корпус - Корпус биполярного транзистора,